Hello,<div><br /></div><div>I was trying to find the band gap of a SiC slab (the surface is cut by the {111} orientation) and the result is always wrong (the band gap is way too small), due to (as far as my understanding goes) spurious interaction among surface states. I know that terminating the surface dangling bonds/free electrons with H atoms should help, but I am worried that the H will alter the crystal too much. Is there another way to do it ?</div><div><br /></div><div>Currently the system is 12 Si atoms, 12 C atoms and H-terminated "bottom" surface. I am using the periodic Poisson solver in 3D, while leaving enough space in the direction perpendicular to the surface.</div><div><br /></div><div>Best Regards,</div><div>Dobromir</div><div><br /></div><div>  </div>

<p></p>

-- <br />
You received this message because you are subscribed to the Google Groups "cp2k" group.<br />
To unsubscribe from this group and stop receiving emails from it, send an email to <a href="mailto:cp2k+unsubscribe@googlegroups.com">cp2k+unsubscribe@googlegroups.com</a>.<br />
To view this discussion on the web visit <a href="https://groups.google.com/d/msgid/cp2k/5232fa88-c2d5-4055-8d94-dbea2e8b8646n%40googlegroups.com?utm_medium=email&utm_source=footer">https://groups.google.com/d/msgid/cp2k/5232fa88-c2d5-4055-8d94-dbea2e8b8646n%40googlegroups.com</a>.<br />