Dear CP2K users,<div><br></div><div>I've recently started to look into doing SGCPMD simulations for metal-water interfaces and came across some related recent posts. I saw that according to Marcella Ianuzzi, the following was suggested to conduct SGCPMD:</div><div>""</div><div><div>-Always start sgcpmd from a well converged wfn obtained along a standard BOMD run with diagonalisation and smearing</div><div>-  Let the first steps run on many scf iterations if needed, i.e., set MAX_SCF large enough</div><div>...</div></div><div>...</div><div>""</div><div><br></div><div>What I don't quite get was the very first part. If I conduct BOMD runs with diagonalization and smearing, I would be using the ADDED_MOS tag under DFT/SCF, but using the wfn from these BOMD runs for SGCPMD using USE_GUESS RESTART won't work with OT. </div><div><br></div><div>Am I only supposed to be using the resulting BOMD positions of the run for the subsequent SGCPMD runs? or am I missing something and doing it wrong? </div><div><br></div><div>Any help would be very grateful.</div><div>Thank you. </div><div><br></div><div>Dongmin.</div>

<p></p>

-- <br />
You received this message because you are subscribed to the Google Groups "cp2k" group.<br />
To unsubscribe from this group and stop receiving emails from it, send an email to <a href="mailto:cp2k+unsubscribe@googlegroups.com">cp2k+unsubscribe@googlegroups.com</a>.<br />
To view this discussion on the web visit <a href="https://groups.google.com/d/msgid/cp2k/39723901-46e2-4118-9e93-98b25d59e297n%40googlegroups.com?utm_medium=email&utm_source=footer">https://groups.google.com/d/msgid/cp2k/39723901-46e2-4118-9e93-98b25d59e297n%40googlegroups.com</a>.<br />