<div dir="ltr"><div>Dear All, </div><div><br></div><div><br></div><div><br></div><div>Now I am simulating the strained (about 0.15, close the fracture strain) single-layer graphene. </div><div><br></div><div>But it cannot get well convergence after running for about ~100 or ~ 1000 steps.</div><div><br></div><div>I used OT method (with DIIS or CG minimizer) or direct diagonalization method. But both methods are not working.</div><div><br></div><div>Can anyone give me some suggestions?</div><div><br></div><div>Best,</div><div>Justin</div><div><br></div><div><br></div><div><br></div><div>##############</div><div>####### for OT #######</div><div>      CHOLESKY OFF</div><div>      &OT</div><div>        PRECONDITIONER FULL_ALL</div><div>        ! the most robust choice (DIIS might sometimes be faster, but not as stable).</div><div>        MINIMIZER DIIS ## CG</div><div>        N_DIIS 5</div><div>       ENERGY_GAP 1.0E-5</div><div>      &END OT</div><div><br></div><div><br></div><div><br></div><div>###### for diagonalization #######</div><div>      ADDED_MOS 100</div><div>      CHOLESKY OFF #INVERSE</div><div>      &SMEAR ON</div><div>        METHOD FERMI_DIRAC</div><div>        ELECTRONIC_TEMPERATURE [K] 300</div><div>      &END SMEAR</div><div>      &DIAGONALIZATION</div><div>        ALGORITHM STANDARD</div><div>        EPS_ADAPT 0.01</div><div>      &END DIAGONALIZATION</div><div><br></div><div>....</div><div>      &XC_GRID</div><div>             XC_SMOOTH_RHO NN50</div><div>             XC_DERIV NN50_SMOOTH</div><div>      &END</div><div><br></div></div>