<div dir="ltr"><div>Greetings,</div><div><br></div><div>I'm looking to model the formation of surfaces by adding vacuum space between layers of semiconductors.  I've run into issues getting the correct results when adding such explicit vacuums to the system box when using GPW, but was pointed to using GAPW as the solution.  In those cases, the change produced the desired outcome, fitting chemical understanding.  In the present case, I'm seeing little or no improvement when using GAPW over GPW.  A search through the literature shows that GAPW is designed for reducing the number of PW needed to model the high density cores of transition metal atoms, none of which I have in my system.</div><div><br></div><div>My question is, does GAPW generally produce better results for systems segregated into atoms and vacuum or does it only provide an improvement when using high Z number atoms?</div><div><br></div><div>Thank you.</div></div>