<div dir="ltr">Hi all,<div><br></div><div>I am trying to calculate DDAP partial charges just to get a sense of what the Blochl approach produces. My model system is a rectangular boron nitride monolayer (about 2 nm by 2 nm) and I am following the setup here: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.7b03443</div><div><br></div><div>My setup is CELL_OPT with PBE + D3 corrections, GTH potentials, and MOLOPT-SR basis sets, all defaults in the DENSITY_FITTING section. For an intact periodic sheet, i get nitrogen and boron charges of -0.915 and +0.915, respectively -- reasonably close to +/-0.907 reported in the paper above, so all is more or less reasonable. Well, not quite. </div><div><br></div><div>If I create a defect by removing a single unit cell of atoms (a nearest-neighbor BN pair) at the center of the sheet, the charge distribution changes _throughout the entire sheet_ with charges +/-0.75 far away from the defect. This does not seem to make much sense, as the effects of this vacancy should not extend this far in terms of atomic ionicity. Am I wrong about this? Can someone comment, please?</div><div><br></div><div>Thanks,</div><div><br></div><div>Alex</div></div>