<div dir="ltr">Hello,<div><br></div><div>I am new to CP2K and would be glad if someone could comment on the the following scenario. </div><div><br></div><div>I am having trouble dealing with the MULTIPLICITY keyword. I am working with systems that have vacancies and different atoms added on top of that</div><div>and I perform unit_cell_ionic relaxations to compute energies.</div><div><br></div><div>e.g. an MoS2 suerpcell (say 8x8x1) with one Mo defect. </div><div><br></div><div>1) How can I specify the multiplicity of such a system with a defect. For a monolayer MoS2 without defect, I just use MUL=1 and it works (using 2S+1).</div><div>    I can randomly try some multiplicity but that doesn't sound right or maybe I need more explanations. Sometimes the system won't converge for a random MUL.</div><div>2) How can I specify the multiplicity of a system with a defect plus an additional atom. Say, a Mo defect plus an oxygen atom somewhere in the cell.</div><div><br></div><div>My idea of Multiplicity keyword was that if I set it to a particular value, the sytem will be forced to converge in a configuration with that kind of multiplicity.</div><div>if that is true, how can we ensure that we have the right multiplicity? And if I specify a multiplicity, am I not presuming against the relaxation? because </div><div>I want a relaxed structure with a defect and an extra atom and I tell it to go to a particular state which may not be right. Is there some sort of prediction involved </div><div>here as to what I want finally?</div><div><br></div><div>My apologies, if the question sounds absurd. I am just trying to make sense of the keyword especially for systems with default magnetic states.</div><div><br></div><div>Any additional information or link is welcome.</div><div><br></div><div><br></div><div>Thanks</div></div>